南京邮电大学等申请一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件专利，能有效保障器件栅极稳定性

今日快讯 2025年08月03日 00:25 0 admin

金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请一项名为“一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件”的专利，公开号CN120417434A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高K金属场板绝缘体上碳化硅功率器件，包括从下至上依次布设的碳化硅有源区和高K金属栅结构；高K金属栅结构包括金属栅极和至少部分包裹在金属栅极顶部的高K介质；位于高K金属栅结构两侧的碳化硅有源区顶部分别设置有源极和漏极；源极设置有位于高K介质顶部且处于金属栅极上方的指型场板；指型场板包括若干根手指；每根手指均沿金属栅极宽度方向布设，一端均与源极相连接，另一端均超出背离源极一侧的金属栅极长边一。

本文源自金融界