黄仁勋：下一代GPU Rubin已进入产线

今日快讯 2025年11月09日 13:20 0 admin

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

生产线上已经能够看到Rubin身影。

11月8日，黄仁勋在接受采访时透露，英伟达下一代Rubin已开始进入产线，“我们已经在生产线上看到Rubin身影”，台积电正非常努力支援相关需求。他表示，Blackwell需求强劲，且不只GPU本体，英伟达同时也打造CPU、网路芯片、交换器等，与Blackwell相关的芯片很多。与此同时，GPU也不仅用于AI，还广泛用于科学运算、量子研究、生物、物理、资料处理等；生态覆盖云端与资料中心，并延伸至车用与机器人等场景。

有报道称，黄仁勋此次前往中国台湾访问的核心目的之一，便是为了确保其下一代AI产品获得“海量”的3纳米产能，他还亲自到访负责3纳米工艺量产的台积电台南晶圆厂，就产能分配问题进行深入谈判。

为满足英伟达的巨大需求，台积电计划对其位于南台湾科学园区的晶圆厂进行大规模扩产。该厂的3纳米工艺月产能预计将从目前的10万片晶圆提升至16万片，增幅约为50%。值得注意的是，这部分新增产能中的很大一部分预计将“专门”供应给英伟达。

产能问题是最近的热点话题。近日，供应链消息传出AI服务器推动存储需求爆发，多个存储产品持续大缺货，交付周期延迟。针对市场关切的供应链问题，黄仁勋坦言，在高速成长阶段难免会出现不同项目的短缺；所幸目前三大存储供应商SK海力士、三星、美光都已大幅扩充产能支援英伟达，“我们对此心存感谢”。在被问道三星是否已供应Blackwell的最新存储，黄仁勋回应称，“英伟达手上拥有各家最先进芯片的样品。”

在谈到美中AI竞逐是否牵动产业，黄仁勋表示，AI将影响每一个国家、每一个地区、每一家企业，“这是我们这个时代最重要的科技，投入AI非常关键。”耐人寻味的是，11月5日，黄仁勋在参加活动时曾直言，“中国将赢得人工智能（AI）竞赛。”

英伟达即将开启Rubin时代

在英伟达秋季GTC大会上，黄仁勋展示了最新的Vera Rubin超级计算平台，该平台由全新的Vera CPU与 Rubin GPU 共同组成，目标是同时支撑人工智能大模型训练、科学计算与国家级超级计算任务。

首批系统将部署在美国洛斯阿拉莫斯国家实验室，并由惠普企业协助英伟达构建两台新一代超级计算机“Mission”和“Vision”，分别用于国家安全和开放科研任务。

规格方面，英伟达Vera Rubin NVL144平台将采用两款新芯片。Rubin GPU将使用两个光罩尺寸大小的芯片，提供高达50 PFLOPS的FP4性能和288 GB的下一代HBM4内存。这些芯片将与一颗拥有88核定制Arm架构、176线程的Vera CPU以及高达1.8 TB/s的NVLINK-C2C互连技术一起配置。

性能扩展方面，英伟达Vera Rubin NVL144平台将具备3.6 Exaflops的FP4推理能力和1.2 Exaflops的FP8训练能力，比GB300 NVL72提升3.3倍；拥有13 TB/s的HBM4内存带宽和75 TB的快速内存，比GB300提升60%；NVLINK和CX9的能力则提升2倍，分别达到最高260 TB/s和28.8 TB/s。

当时黄仁勋透露，他预计Rubin GPU将在明年大约同一时间或更早进入量产阶段，也就是2026年第三或第四季度。

英伟达预计独占台积电A16工艺首单

知情人士透露，英伟达将成为2027年台积电最新工艺的首批客户。“目前，台积电A16工艺的客户只有英伟达”，并称 “英伟达与台积电正在共同进行测试。该工艺预计将在2027年前后投入使用。据悉，苹果的移动应用处理器（AP）目前尚未与台积电就此展开洽谈”。

按照规划，台积电将从2027年开始量产的A16工艺，是首款在2纳米工艺中加入 “背面供电（BSPDN）” 技术的尖端工艺。BSPDN是目前尚无商业化案例的半导体工艺技术。过去，电力供应与信号布线均布置在芯片正面，随着电路间距缩小，会产生干扰，导致制造及设计难度不断增加。BSPDN技术则颠覆了这一结构，将电力网络布置在背面，信号网络留在正面，以此减少布线瓶颈，同时提升电力效率。

而英伟达的GPU发布节奏则是“Hopper-Blackwell-Rubin-Feynman” 。目前，Blackwell系列产品正在出货，预计明年推出Rubin系列，Feynman系列计划于2028年发布，英伟达届时或将在该产品中采用A16工艺。虽然产品正式发布要等到3年后，但预计从2027年下半年开始，英伟达将采用A16工艺，经历约1年的产能爬坡（提升良率及生产效率）阶段。

值得一提的是，此前英伟达在自家GPU产品中，一直采用台积电的成熟工艺而非最新工艺。其中，Hopper系列采用4纳米工艺，Blackwell与Rubin系列则分别采用3纳米工艺。考虑到台积电即将启动2纳米工艺量产，这意味着英伟达使用的工艺比台积电的最新工艺落后一代。

而从Feynman系列开始，英伟达将采用台积电最新工艺。这一转变也意味着英伟达将面临更大的成本压力。因为台积电先进制程正在涨价，据供应链消息，台积电已正式通知包括苹果、高通、小米等核心客户，将对2nm、3nm 及5nm等先进制程晶圆全面调价，涨幅最高达8%–10%，新价格预计于明年起实施。消息人士透露，2nm制程晶圆报价将比3nm高出至少50%。台积电方面解释称，新一代2nm技术在极紫外（EUV）光刻设备投入、良率优化及生产线改造上成本巨大，因此不会提供价格优惠。

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