存储芯片涨价潮起，国产替代加速，5大核心龙头有望持续受益！

今日快讯 2025年10月18日 19:36 0 aa

全球存储芯片市场正迎来一轮波澜壮阔的涨价潮，AI需求爆发与国产替代加速共同推动下，A股存储产业链企业迎来历史性发展机遇。

近期，存储芯片市场热闹非凡。三星、美光、SK海力士等头部厂商集体上调产品报价，DRAM与NAND Flash价格在半年内累计涨幅已超200%，部分高端产品甚至出现“一货难求”的紧缺局面。

这轮由AI技术驱动的涨价潮，不仅重塑了行业格局，更将存储芯片推向了全球科技竞争的核心舞台。

在供需失衡与国产替代加速的双重驱动下，A股存储芯片板块正成为资本市场的焦点，其中五大核心龙头企业尤为值得关注。

01 行业新周期：三大驱动因素重塑市场格局

存储芯片市场已迎来新一轮上行周期，这与AI需求爆发、全球涨价潮和国产替代三大驱动因素密切相关。

AI需求呈现指数级增长，成为存储市场最强劲的推动力。AI服务器对DRAM和NAND的需求分别为普通服务器的8倍和3倍，单台配置高达2TB。

OpenAI“星际之门”项目每月需采购90万片DRAM晶圆，占全球产量近40%；四家云巨头对AI相关NAND订单已达200EB，远超原定2026年预期。

全球存储芯片涨价潮来势汹汹。2025年9月以来，存储芯片市场迎来两轮涨价周期：第一轮由NAND Flash引领，闪迪于4月1日率先对消费类NAND产品提价超10%；

第二轮则从9月全面爆发，三星将部分DRAM价格上调15%-30%，美光通知客户价格涨幅达20%-30%。

国产替代加速突破。在全球存储芯片市场因AI需求爆发掀起新一轮涨价潮的背景下，中国存储芯片产业正以“国产替代”为核心战略，加速突破技术壁垒。

长江存储、长鑫存储等龙头企业引领下，国产存储芯片在产能、技术、市场占有率等方面取得显著进展。

02 五大核心龙头：抢占高成长赛道

1. 兆易创新：车规存储技术标杆

兆易创新作为国内NOR Flash龙头，在全球NOR Flash市场市占率前三，国内份额第一。

公司正加速推进利基型DRAM自研，突破LPDDR4/5，车规级存储产品通过特斯拉等头部车企认证，技术壁垒和毛利率水平突出。

与长鑫存储通过股权（持股1.88%）、代工、代销三重绑定，2025年关联交易预计达11.61亿元。

2. 澜起科技：DDR5接口全球龙头

澜起科技是全球DDR5内存接口芯片的领军企业，市场份额超过40%，牵头发JEDEC国际标准制定，技术适配AI服务器高速内存需求。

公司产品已批量供应三星、SK海力士，支持HBM3封装技术，并推出PCIe 5.0 Retimer芯片，适配长鑫存储最新产线。

2025年第二季度净利润同比增长45%，AI服务器配套订单增长250%，第二代产品传输速率比竞品快10%。

更关键的是公司已切入HBM供应链，PCIe Retimer芯片因AI服务器需求爆发，上半年收入激增320%。

3. 江波龙：存储模组AI适配先锋

江波龙是存储模组领域的龙头企业，拥有Foresee和Lexar双品牌，企业级SSD适配AI服务器需求。

公司与长江存储联合推出模组，企业级eSSD读写速度达7GB/s，完美匹配AI训练需求。

2025年上半年净利润增长150%，AI服务器相关模组收入占比达35%。

三季度来自长江存储采购占比升至40%，eSSD涨价推动相关业务毛利率提升至28%，2025年营收预计增60%。

4. 深科技：DRAM封测隐形冠军

深科技是国内高端存储芯片封测的龙头企业，是国内最大的独立DRAM内存芯片封测企业。

公司子公司沛顿科技承接长鑫存储60%封测业务，覆盖17nm先进制程。

当前产能利用率达90%高位，DDR5模组封装单价随涨价盈利空间扩大12%，存储业务收入占比将突破45%。

2025年上半年封测业务收入增长55%，存储模组产能扩至2000万片/月。随着长鑫HBM量产，预计2026年相关收入占比突破40%。

5. 北方华创：设备国产化领军者

北方华创是半导体设备平台企业，PVD设备覆盖DRAM/NAND全工艺，国产设备渗透率提升的核心受益者。

公司12英寸TSV刻蚀机通过长江存储294层NAND验证，在长鑫存储刻蚀机市占率超50%。

设备覆盖刻蚀、PVD、CVD全环节，支撑HBM产线建设，打破国际垄断。

2025年存储设备业务收入同比增长72%，三季度新增订单超80亿元。预计2025年在国产存储设备市场占比突破30%。

03 投资逻辑：多维共振下的历史机遇

政策支持力度持续加大。政府采购国产的相关标准2026年即将实施，大基金三期规模高达3400亿元，重点放在自主可控上。

研发费用加计扣除比例提高至175%，HBM纳入“卡脖子”技术攻关清单，政策全链条护航产业升级。

技术突破构筑核心竞争力。长鑫存储已成功量产19nm DDR5和LPDDR5X产品，良率超95%，在利基市场和车规级领域占比显著。

长江存储自主研发的Xtacking架构将等效存储密度提升至294层，位密度达15.03 Gb/mm²，超越三星、SK海力士。

市场需求持续旺盛。据TrendForce预测，2025年第四季度NAND Flash价格将再涨5%-10%，服务器用eSSD涨幅或达10%以上。

CFM闪存市场发布的2025年Q4存储市场展望报告预计，四季度服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%。

04 风险与挑战：前行道路上的不容忽视

尽管存储芯片行业前景广阔，但投资者仍需警惕潜在风险。

行业周期性波动是存储芯片市场的固有特性。与以往依赖消费端需求的3-4年传统周期不同，本轮上行由企业级AI资本开支主导，景气度至少延续至2026年第二季度。

技术迭代风险同样不容忽视。HBM领域，SK海力士凭借HBM3/HBM3E领先，占全球市场约60%，率先推出12层堆叠HBM4样品；

三星依托4nm逻辑+10nm DRAM工艺推进HBM4量产。国内企业虽加速追赶，但仍面临技术差距。

国际贸易环境的不确定性始终是悬在国内存储产业头上的达摩克利斯之剑。海外技术封锁与设备限制依然可能对产业链造成冲击，国产化替代任重道远。

全球存储芯片市场的供需失衡短期内难以缓解，摩根士丹利研报指出，AI推动存储供需失衡加剧，预计到2027年全球存储市场规模将逼近3000亿美元。

在国产替代加速的背景下，中国存储芯片企业正迎来发展的黄金时期。

那些已经在技术壁垒、客户绑定和产能规模上建立优势的龙头企业，有望在这轮产业变革中持续领跑，值得投资者长期关注。

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