国产从3个方向围攻ASML，一旦突破EUV光刻机，芯片战就结束了

景点排名 2025年11月03日 19:18 2 aa

芯片这事儿，说白了就是谁掌握了核心设备，谁就能在高科技领域占上风。荷兰的ASML公司这些年一直是光刻机市场的老大，特别是EUV极紫外线光刻机这块，几乎垄断了全球高端芯片生产。台积电、三星、英特尔这些巨头都得靠它来做7纳米以下的芯片。没有EUV，先进制程就卡壳，美国从2019年起就开始限制ASML对中国出口这种设备，2023年又加码管制浸没式DUV深紫外线光刻机，荷兰和日本也跟着掺和。

结果呢，中国企业没法直接买到顶尖机器，芯片制造被堵在7纳米关口。但这也逼着本土产业自己想办法，从三个方向发力，逐步蚕食ASML的领先优势。要是其中哪条路真正突破EUV级别，所谓的中美芯片战基本就没戏唱了，美国的封锁也成空谈。

先美国的出口管制不是闹着玩的。2019年，美国商务部就把华为列入实体清单，禁止ASML卖EUV给中国大陆。2022年10月，新规出来，进一步限制先进计算芯片和制造设备的出口，浸没式DUV的部分型号也得申请许可。ASML那时候就暂停了对中国一些客户的交付，2023年荷兰政府正式要求ASML为高端DUV出口申请许可，很多申请直接被拒。2024年，美国又更新清单，新增多家中国半导体企业，荷兰允许中端DUV出口，但高端的还是卡死。

到了2025年，美国白宫官员还在强调国家安全，继续执行禁令。ASML的CEO在2025年10月说，由于这些限制，中国没法拿到EUV设备，但中国的发展速度很快，追赶他们还需要时间。高盛的报告也提到，中国光刻机目前停在65纳米级别，至少落后ASML二十年。但事实是，中国已经在多条技术路径上推进，国产化率从2022年的2.5%升到2025年的15%左右，专利申请量2024年增长50%。

本土企业没坐以待毙，而是从传统路径入手，这就是第一条路，由上海微电子领头。他们走的是从DUV深紫外线逐步升级到EUV的常规路线，跟ASML当初的路子差不多。2023年，上海微电子推出氟化氩光刻机，波长193纳米，套刻精度8纳米以内，属于干式DUV范畴，能做55纳米左右的制程。2024年，他们转战浸没式DUV，解决液体介质下的光学问题，测试多重曝光来提升分辨率。2024年9月，这款氟化氩系统被列入工信部重大技术装备推广目录，国产化率达85%，包括光源和物镜部件。

2025年5月，他们交付首批28纳米浸没式机器，在中芯国际工厂验证，处理硅片时图案输出稳定。9月，又在中芯国际跑了测试，逐步接近7纳米要求。但差距还在，光源稳定性是个大坎，EUV需要真空环境和高功率等离子体，他们2023年3月提交了EUV辐射发生器专利，2024年公开发布，但还在审查中。2025年第三季度，本土EUV原型进入试产，在华为东莞工厂跑24小时测试，效率从早期2%升到4.5%，瞄准3纳米制程。良率和稳定性还需优化，但这步步紧逼ASML的传统优势。

第二条路是纳米压印技术，这玩意儿不像光学光刻那么复杂，而是用模板直接压印图案，避开光源和镜片的麻烦。璞璘科技在这块干得风生水起，2024年完成喷墨步进式设备的原型，优化模板对准，减少缺陷。2025年8月1日，他们交付PL-SR系列系统，线宽小于10纳米，支持储存芯片、硅基微显、硅光和先进封装。

设备在非真空环境下跑，喷墨涂胶后压印转移图案，已在客户现场验证。璞璘攻克了喷墨工艺多项技术，初步完成储存芯片研发验证。这比光学系统简单，成本低，但产量慢，适合特定领域。比起ASML的第一代EUV线宽13纳米，第二代8纳米，这已经够得上精度，但生态不全，芯片制造需要上百种设备协调，不是光刻机单干就能行。璞璘的交付标志着中国在纳米压印上打破佳能垄断，2025年8月5日多家媒体报道，这台设备已通过验收，交付国内特色工艺客户。

第三条路是电子束直写技术，EBL电子束光刻机，由浙江大学余杭量子研究院孵化。2024年，他们建100千伏加速器，精调电子束聚焦到亚纳米级别。2025年8月14日，“羲之”系统面世，精度0.6纳米，线宽8纳米，无需掩膜，直接在硅片上刻电路，适合量子芯片小批量定制。在杭州实验室测试，处理第三代半导体材料时灵活性高。

EBL不像EUV那样高效，适用于研发而非大生产，但精度超高，能绕开光学限制。2025年8月17日，媒体称这是全国首台国产商业电子束光刻机，已投入市场。跟纳米压印一样，这两条路在分辨率上追平或超ASML的EUV，但效率和产速有短板。

这三条路互补，传统DUV升级稳扎稳打，纳米压印和EBL提供替代方案。2025年全球光刻机市场超400亿美元，中国高端份额还低，但进展明显。