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2025-09-29 0
据TomsHardware报道,AMD最近有一项题为“高带宽内存模块架构”的专利流出,再次引起了大家的关注,猜测是否在准备新的HB-DIMM内存模块。不过事实可能相反,AMD并没有准备任何新的东西,新专利实际上是2022年旧专利的延续,其中概述的技术已经被更新的MRDIMM内存模块所取代,并由AMD提供了技术支持。
最初的专利为“US12300346B2”,2023年被“US20230178121A1”所取代,这是7月公布的新文件所扩展的具体文件。换句话说,这并非一项新技术。根据介绍,这种内存能在单个模块内通过“两个或多个独立可寻址伪通道”执行多路访问。这些伪通道不一定与内存通道相对应,而是模块内的独立分区,既可存在于单个通道内,也可跨通道分布。
这种做法能够让标准DDR5的有效传输速率提高一倍,尽管需要带有额外的新组件,包括额外的数据缓冲器和RCD,这意味着HB-DIMM将取代标准的RDIMM和CUDIMM两种内存模块。
有类似想法的不只有AMD,SK海力士与英特尔、瑞萨电子等合作,在2022年末提出了MCRDIMM解决方案,但是在此之前AMD已经申请了HB-DIMM专利,只是没有公开。同时存在两个相互竞争、互不兼容的标准对于行业来说会有极大的影响,所以JEDEC选择将HB-DIMM和MCRDIMM这两个标准结合起来,提供了MRDIMM技术。
既然AMD已经表明会支持MRDIMM,用于下一代基于Zen 6系列架构的EPYC“Venice”处理器,那么新的专利文件出现不代表AMD会继续追求HB-DIMM这种非常相似的技术,很有可能HB-DIMM的相关工作仅停留在早期阶段。
另外在去年,美光就宣布DDR5 MRDIMM已经出样了。
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