先进封装领域正迎来一场前所未有的变革

抖音热门 2025年10月07日 17:01 0 admin

AI芯片的功耗正以惊人的速度攀升，英伟达H100已经达到700瓦，下一代Rubin处理器更是要突破1000瓦大关。如此恐怖的热量，让传统的硅中介层捉襟见肘，散热跟不上，芯片性能只能降频，寿命也大打折扣。先进封装领域正迎来一场前所未有的变革。

中介层绝非简单的转接板，它是先进封装的命脉，肩负着连接不同芯片、保证信号高速传输的重任。再布线层是其核心，无论是嵌入硅载体还是独立使用，在FoWLP、CoWoS等封装技术中都不可或缺。台积电的CoWoS技术最早落地，如今已发展出多种类型，但大尺寸时成本高、良率难控制的问题依然存在。英特尔的EMIB另辟蹊径，用小桥接芯片连接，成本较低但集成度有限。三星的I-Cube则更像是对标台积电，去年已在Exynos2400上小试牛刀。这些技术各有千秋，高端AI芯片追求性能自然选CoWoS，中低端想控制成本则EMIB或I-Cube更合适。中介层早已从配角晋升为主角，直接决定芯片性能。硅中介层虽然成熟，但散热差、成本高的问题日益凸显，12英寸硅中介层一片就要两千多美元，只有英伟达、AMD这样的巨头用得起。高频时信号串扰更是让人头疼。既然硅中介层力不从心，新材料自然要抢班夺权。有机中介层率先登场，面板级生产让成本降低60%，但布线精度不足，只能满足中低端需求。谷歌的TPU v5e就采用了这种方案。三星押注玻璃中介层，计划2028年替代硅中介层，它能支持3D堆叠，面积优化2倍多，线长缩短20多倍，功耗也显著降低，但工作时温度会升高15度，散热问题亟待解决。最令人期待的当属碳化硅中介层，2025年刚崭露头角就成焦点。热导率是硅的3倍多，能让H100温度从95度降至75度，散热成本直接省30%。台积电已联合日本DISCO开发专用切割设备，目标2027年量产，英伟达下一代处理器也确定采用。高端AI芯片选SiC看重散热速度，中低端选有机或玻璃图的是成本灵活，军工航天则青睐陶瓷中介层。未来中介层材料必定是分场景定制的格局。全球大厂都在中介层上发力，三星盯玻璃，台积电硅和SiC双管齐下，英伟达力推SiC，27家企业组成的Resonac联盟主攻有机中介层。这绝非简单的技术升级，而是半导体行业从比制程转向比封装的明确信号。短期硅中介层仍占主导，但2027年后SiC和玻璃必将快速抢占市场。国内企业迎来弯道超车良机，若能在SiC材料、玻璃加工设备等环节实现突破，完全可能在先进封装领域后来居上。中介层变革才刚刚开始，谁能抓住这个风口，谁就能在未来的竞争中占据有利位置。

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