北京贞光科技有限公司作为紫光国芯的核心代理商,贞光科技在车规级存储和工业控制领域深耕多年,凭借专业的技术服务能力为汽车电子、ADAS系统等高可靠性应用...
2025-10-16 0
北京贞光科技有限公司作为紫光国芯的核心代理商,贞光科技在车规级存储和工业控制领域深耕多年,凭借专业的技术服务能力为汽车电子、ADAS系统等高可靠性应用提供稳定供应保障。
AI服务器对DRAM和NAND的需求分别为普通服务器的8倍和3倍,单台配置高达2TB。随着三星、美光、SK海力士等国际大厂集体上调产品报价,一场由AI技术驱动的存储涨价潮席卷全球,这也为国产存储企业带来了前所未有的发展机遇。
细分方向 | 代表公司 | 主要技术 / 产品方向 |
3D NAND / 闪存制造 | 长江存储 | 自主 3D NAND 研发与制造,已量产 232 层,推进 430 层堆叠,采用 Xtacking 2.0 架构。 |
DRAM 制造 | 长鑫存储 | 19nm DRAM 已量产,布局 DDR5 / LPDDR5 产品;计划在合肥、武汉扩产。 |
NOR / NAND / 控制器设计 | 兆易创新 | NOR Flash、SPI NAND、DRAM 控制器及 MCU 芯片设计,广泛应用于消费电子与工业控制。 |
存储控制器 / 主控芯片 | 晶存科技 | 提供 eMMC、UFS、LPDDR、DDR 控制器方案,覆盖移动、车规及物联网领域。 |
通用及嵌入式存储设计 | 江波龙电子 | 旗下 Lexar 品牌 SSD、UFS、eMMC 控制器方案,全球出货规模领先。 |
利基型 NAND / NOR / eMMC | 东芯半导体 | 专注中小容量 NAND/NOR Flash 及工业级嵌入式存储,已进入车规级市场。 |
DRAM / 安全芯片设计 | 紫光国芯 | 车规级 DRAM、DDR4/DDR5 设计,具备安全芯片与加密存储技术,与长鑫存储协同发展。 |
封测与模组制造 | 佰维存储 | 固态硬盘、内存模组封测厂商,与 YMTC、兆易创新合作紧密。 |
嵌入式存储芯片 / MCU | 恒烁股份 | eFlash、EEPROM、NOR 产品,聚焦车规级与工业控制应用。 |
控制器与 SoC 集成 | 国芯科技 | 提供存储控制器及 AI 边缘 SoC,布局高带宽内存控制方案。 |
作为国内 NAND 闪存的龙头,长江存储已量产 232 层 3D NAND,并计划 2026 年量产 430 层产品。公司采用自主 Xtacking 混合键合技术,性能与国际主流水平接近。2025 年初,三星与长江存储签署混合键合专利许可协议,标志着其技术实力获得国际认可。
目前已成功量产 19nm DRAM 芯片,是中国首家实现 DRAM 商业化的厂商。公司正布局 DDR5、LPDDR5 等高性能内存,目标进入服务器和车载市场。
紫光国芯是紫光集团旗下的核心半导体企业,专注于 DRAM 设计、车规级内存与安全存储芯片。其 DDR4 产品已通过 AEC-Q100 车规认证,部分方案已进入新能源汽车电子系统。公司在安全芯片、加密算法及可信存储方向积累深厚,正与长鑫存储形成设计—制造协同,推动“中国内存自主可控”战略落地。
这些厂商在控制器和通用存储设计领域具备灵活优势,能快速响应消费电子、AIoT、车载等新兴需求。其中兆易创新的 SPI NOR Flash 在全球市占率排名前三。
热点关键词 | 含义与发展趋势 |
混合键合(Hybrid Bonding) | 下一代 3D NAND 核心技术,长江存储与三星均采用,可提升层间连接效率与带宽。 |
AI / 大模型算力需求 | 推动高带宽、低功耗存储需求爆发,带动 DRAM、HBM、SSD 等市场扩容。 |
车规级存储 | 紫光国芯、东芯、恒烁等厂商重点布局的高可靠性领域,成长性突出。 |
自主可控 / 国产化替代 | 存储芯片被纳入国家重点扶持范畴,未来政策红利持续释放。 |
堆叠层数竞争 | 3D NAND 堆叠层数已突破 400 层,未来有望向千层演进。 |
结语:
国产存储产业正进入技术与资本双轮驱动的新阶段。长江存储、长鑫存储、紫光国芯、兆易创新等企业构成了“设计—制造—封测”完整生态。随着技术积累深化与国际合作拓展,中国存储有望在未来全球市场中实现从“补位”到“引领”的跨越。
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