俄罗斯：我们拥有EUV光刻机核心技术，会比中国更快造出光刻机！

今日快讯 2025年11月03日 21:24 0 admin

最近俄罗斯科学院那边闹出个大动静，他们在2025年9月27日放出一份报告，讲的是从2026年一直到2037年的光刻设备发展计划。简单说吧，光刻机就是芯片工厂里那台关键机器，用来在硅片上刻出超级小的电路图案。

俄罗斯人宣称，他们已经搞定了一些核心部件，比如光源和反射镜，还说能在小于10纳米的工艺上搞出名堂。最狠的是，他们觉得自己的路子能比中国更快把整机弄出来。这话一出，半导体圈子炸锅了，大家都在议论这到底是真有料还是吹牛皮。

先聊聊背景。全球芯片供应链现在乱成一锅粥，主要因为美国带头搞出口管制，从2020年代初就开始收紧，荷兰的ASML公司那些高端EUV机器，对俄罗斯和中国基本是禁售状态。ASML是这领域的霸主，他们的设备用13.5纳米的波长，能刻出7纳米甚至更小的芯片。

俄罗斯被逼得没法，只能自己卷袖子上。他们的计划用的是11.2纳米的波长，这和主流不一样，目的是避开专利墙，还能把成本压低点。用氙气等离子体来发光，而不是ASML的锡滴激光方式，这样设备体积能小20%，对预算紧巴巴的国家来说挺有吸引力。

俄罗斯这事儿不是空穴来风，早有铺垫。从苏联时代，上世纪70年代实验室就玩过等离子体辐射实验，积累了些基础数据。2000年后，因为钱少人跑，进展慢吞吞的。直到2024年5月，他们组装出第一台国产光刻机，能处理350纳米的工艺，正在泽列诺格勒测试。

这技术听起来老土，现在汽车芯片和功率器件还用，但对俄罗斯军工来说够使了。副部长瓦西里·什帕克当时说，这机器测试过了，很快就能产350纳米芯片。他们的目标是2026年搞到130纳米级别，那时候就能覆盖更多应用。

这份路线图分三步走。第一步，2026到2028年，瞄准40纳米工具，重点是把子系统连起来调校，包括振动控制和对准精度。俄罗斯人说，通过模块化设计，组装时间能缩短30%。他们从2025年上半年开始迭代光源功率，从50瓦提到60瓦，算是从纸上谈兵到动手干的转变。第二步，2029到2033年，推28纳米系统，用上数字化模拟，迭代周期从5年压到3年。第三步，到2037年，弄出亚10纳米整机。听起来野心不小，但资金才50亿卢布，换算成美元也就几亿美元，跟ASML一年砸进去的数百亿欧元比，简直是小巫见大巫。

俄罗斯人为什么敢说比中国快？他们觉得自己的简化路径门槛低，能缩短时间。光源用高压放电，功率目标250瓦，支持40纳米曝光，但现在稳定性才70%，连续跑不过4小时。

反射镜镀膜得稳在65%以上，缺陷密度从每平方厘米100个降到20个，花了15次优化。能耗也优化了，峰值300千瓦，提升15%的效率。但冷却零件还得进口，占预算20%。供应链本土化从2025年2月起步，库存周期拉到6个月，风险降一半，但产量刚够实验室用。这些细节显示，他们在绕弯子避开禁运，但实际落地有瓶颈。

现在对比中国。中国从2015年就砸钱布局，投入超1000亿元人民币，建起从光源到曝光机的链条。上海微电子装备公司主导的28纳米浸没式机器，每月产500台，良率90%。2025年3月，他们的激光诱导技术进试产，光源效率4.5%，功率达标。

华为工厂跑24小时测试，分辨率稳在7纳米。清华大学反射镜反射率70%，均匀性0.5%。中科院模块减热变形，跑超24小时。中国路径是激光等离子体，跟ASML类似，但加了本土优化。相比俄罗斯的孤岛式开发，中国生态全，效率高25%，接口标准化迭代10次以上。

不过，俄罗斯有苏联遗产，比如等离子体团簇辐射特性，早验证过。现在他们用机器学习优化软件，虽数据集小，但动态调整强20%。人才流失率10%，但合作网窄。中国多边网络广，验证覆盖高15%。俄罗斯声明激发本土劲头，但短期难动格局。中国自给还升级全球链条。俄罗斯的11.2纳米或给新兴市场低成本选项，但稳定性得过关。中国稳扎稳打，预计EUV领先。

这事儿不光是技术赛跑，还是地缘政治的镜像。美国管制推两国自立，但俄罗斯起步晚，当前130纳米原型月产不足10台。中国28纳米量产，韧性强。全球芯片价稳降2%，中国保障安全。俄罗斯努力提醒，竞争得实干，别被噪音迷。他们的软件融AI，但精度弱。中国平台训百万组，强20%。安全环境测试，中国多级高15%。

说实话，俄罗斯这宣言听着自信，但得看实证。中国积累厚，路径稳。俄罗斯用X射线技术探索无掩膜光刻，或避传统坑。但开发需巨资跨学科，运维复杂增1.5倍。中国用DUV挤5纳米，禁运下创新。

俄罗斯2024年底原型验证，功率10瓦，调数百次到当前。中国2019前有外国技术，现在本土替。俄罗斯2025年9月路线图雄心，但从350纳米跳EUV难。专家说，俄罗斯落后30年，但象征意义大。

中国有多个EUV项目，如SSMB粒子加速器，潜力大。俄罗斯帮中国光源物理研究，提供加速器。两国合作补短，但俄罗斯宣称更快，忽略中国优势。全球看，ASML垄断，但禁运催生替代。俄罗斯计划用氙激光，生态从零建，十年起。中国投资猛，2024半导体设备购超400亿美元。俄罗斯得2.5亿美元政府资，加速本土。

接地气说，俄罗斯这步像穷小子逆袭，靠聪明劲儿。但中国是大户，砸钱堆资源。俄罗斯副部长说，2024年产350纳米芯片，2026年130纳米。现实是，俄罗斯Mikron产90纳米，用进口DUV。中国SMIC用DUV做7纳米。俄罗斯新机落后，但自产关键。他们的EUV用11.2nm，需新镜、光源、电阻。EDA工具得调，OPC和RET重校。