【CNMO科技消息】根据市场研究机构Counterpoint Research发布的最新内存半导体数据,三星预计将在明年的高带宽内存(HBM)市场中实...
2025-09-27 0
【CNMO科技消息】根据市场研究机构Counterpoint Research发布的最新内存半导体数据,三星预计将在明年的高带宽内存(HBM)市场中实现超过30%的市场份额。虽然今年上半年三星在该领域表现不佳,落后于SK海力士和美国美光科技,但分析师预测,随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链,三星的销量将显著增长。
三星
数据显示,今年第二季度,SK海力士以62%的市场份额领跑HBM市场,美光以21%位居第二,而三星电子则以17%的份额排名第三。这意味着全球每10个HBM产品中,有8个由韩国企业生产。Counterpoint指出,虽然三星在第二季度的市场份额低于预期,但明年其份额将突破30%,这主要得益于公司即将获得主要客户对HBM3E产品的认证,以及基于HBM4的出口能力提升。
三星HBM4
据CNMO了解,三星已推出其10纳米级第六代(1c)DRAM工艺,该工艺比HBM4领先一步,并与其4纳米晶圆代工工艺相结合。今年7月,公司使用1c纳米工艺完成了HBM4的开发,并向主要客户发送了样品,预计年底前实现大规模生产。据悉,三星开发的HBM4通过提高单元集成密度,将能效比前代产品提升40%,数据处理速度达到11Gbps。随着开发完成,公司近期还重启了平泽第五工厂(P5)的建设,以实施“规模经济”战略。
Counterpoint预计,当HBM4发布时,韩国企业在HBM市场的主导地位将进一步巩固。目前,领先的SK海力士已完成HBM4开发,并建立了大规模生产体系。如果通过质量测试,该产品有望被纳入英伟达下一代人工智能(AI)图形处理单元(GPU)Rubin的供应链,后者计划于明年年底量产。韩媒指出,中国企业正试图通过开发HBM产品追赶技术差距,但由于技术难度较高,尚未能实现有效落地。
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