YMTC闪存、CXMT内存市场&amp;技术解析 (含HBM预测)

抖音热门 2025年09月24日 02:16 2 aa

免责声明：本文中引用了国外分析/调研机构的统计和预测数字，仅供读者朋友参考。

- 内存（CXMT）和闪存（YMTC）市场份额分析

- HBM增长率及对AI产业的重要价值

- DRAM制造工艺节点、CXMT DDR5技术对比

- 3D NAND技术对比：YMTC已接近国际先进水平？

今天我的讨论主要围绕国内两大半导体存储厂商YMTC（长江存储）和CXMT（长鑫存储），参考信息全部来自一周前我发过的公开资料《FMS (未来内存&存储) 2025会议资料分享》。

内存（CXMT）和闪存（YMTC）市场份额分析

来源：ZeroPoint Technologies的《Asia Memory Markets - Trends, Threats and Opportunities》

上面图表中指出，长鑫已经于2024年晚期开始生产HBM2内存，并将HBM3规划在2026年。

YMTC与三星和美光之间只有大约1-2年的技术差距；而CXMT的16nm(1z)工艺落后行业领先者大约3-4年？毕竟YMTC在闪存领域的投资入局，毕竟比CXMT在内存领域要早几年。

我关注的另外2个数字，一个是YMTC的2024-2025全球NAND份额13%；另一个CXMT的DRAM市场份额，2023年是5%，今年预计达到10-12%？这些指的是出货容量还是销售额呢，下面我来找些别的参考佐证：

来源：Tech Insights的《Memory Technology Trends & Outlook -DRAM & NAND-》

如以上图表，这是按销售额来对比的NAND市场份额，我们看最新的25Q1季度数字，三星还是以33%占有率遥遥领先，比Kioxia加上SanDisk（以前是东芝+WD）还多。YMTC在这里是6%，虽然我不保证准确，但可以判断出前面13%的数字应该是出货容量（也就是说单位容量价格偏低？）。

来源：YOLO Group的《High Bandwidth Memory Market and Technology Trends》

上图是2024年DRAM按销售额的市场份额对比，CXMT的占比是1.3%，权且先做个参考数值。

来源：TrendForce的《How AI Growth Will Drive HBM Demand Beyond 2025: Shaping Product Evolution and Market Dynamics》

以前我就看到过上面图表，主要是在1Q25 Others的比例猛增，不少人遂认为是国内某厂贡献的：）

来源：Tech Insights的《Memory Technology Trends & Outlook -DRAM & NAND-》

这个图表是出货容量，CXMT在2024年已达14Ebit（比2023年提高很多），之后的趋势看着也不错，如果按照这个2029年达到61Ebit的预测，从2024-2029的年复合增长率约34.1%。2029年市场份额约为9.8%？这个却远没有前面的数字乐观了，所以这些仅供大家参考。

HBM增长率及对AI产业的重要价值

来源：TrendForce的《Exploring the Future: DRAM Market and Technology Outlook》

参考上图，CXMT在2025和2026年的HBM市场份额预计可达3%和6%，注意这里对比的是K Wafers/Month（也就是每月的晶圆投片量）。

从整体市场来看，HBM的出货容量2024年在DRAM当中仅占5%，但销售额达到19%；之后2年的预期都乐观，甚至2026年出货比例增长不大的情况下，销售额预期却仍能显著增长到41%。这也是今天Hynix的内存业绩超过Samsung的原因（在HBM市场占了先机）。

来源：OBJECTIVE ANALYSIS的《Memory and Storage, Current Status and Future Projections》

我又拿OBJECTIVE ANALYSIS的数字做个参照：看似HBM销售额的占比，比前面TrendForce的数字低了不少？不过再看下面OBJECTIVE ANALYSIS对CXL的预测，感觉这家机构不一定很靠谱？

CXL市场还会有这么乐观吗？（但愿我被打脸-_-:）

上面图表中列出了NVIDIA和AMD AI芯片（GPU）的Roadmap和HBM内存规格，其中也包括了NV尚未发布的R100（Rubin）、AMD计划中的MI375和MI400。

列举完通用GPU之后，以上是国外4大CSP（云服务提供商）自研芯片的各自发展进展，包括Google、AWS、微软和Meta这几家HyperScale。除了AWS的早期的Inferentia v1采用DDR4，Meta的MTIA v1和v2使用LPDDR5内存之外，余下的都是HBM高带宽内存。

DRAM制造工艺节点、CXMT DDR5技术对比

来源：Tech Insights的《Memory Technology Trends & Outlook -DRAM & NAND-》

如上图，CXMT的DRAM工艺节点，当前应该位于16nm、D1y的阶段。

来源：TrendForce的《Exploring the Future: DRAM Market and Technology Outlook》

如今CXMT的G4产品处于DDR5 4800-6400 MT/s，三星、Hynix和Micron今年应该已经向客户提供7200-8000 MT/s DDR5内存的样品。

D1b(D1β) DRAM Cell: Samsung vs. SK hynix vs. Micron

来源：Tech Insights的《Memory Technology Trends & Outlook -DRAM & NAND-》

以上是CXMT G4 DDR5-6000内存颗粒（16Gb Die）的参考技术指标。

3D NAND技术对比：YMTC已接近国际先进水平？

这张及以下全部图片来源：Tech Insights的《Memory Technology Trends & Outlook -DRAM & NAND-》

YMTC的X4.x 3D NAND闪存，已经达到了267层。

上面是3D NAND位密度趋势：YMTC Xtacking 4.X 267层做到了1Tb TLC Chip，这样8个Die再堆叠封装在一起，单个颗粒的容量就是1TB。

3D NAND垂直栅极间距趋势（最小值）

塑封厚度工程（实测值）

垂直沟道孔：OPS 设计

无阶梯型字线电容（长江存储276 层）

混合键合内存（NAND）的采用

之前我在新闻中曾看到：

“韩国媒体报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。

从韩媒报道来看，三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。”

具备高密度与高性能的3D NAND 阵列 - 逻辑混合键合芯片

周末时间精力有限，最后这部分就不展开讨论了。记得我在4年多之前曾写过《3D NAND制造技术对比：YMTC国产闪存何时追赶上？》，其实我并不是专门搞半导体技术的，有些班门弄斧还望大家见谅：）

注：本文只代表作者个人观点，与任何组织机构无关，如有错误和不足之处欢迎在留言中批评指正。如果您想在这个公众号上分享自己的技术干货，也欢迎联系我：）

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